RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2913
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link