RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Note globale
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
37
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
37
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
3419
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link