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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Note globale
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
53
Autour de 32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
53
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
2333
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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