RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
53
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
53
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2333
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9905403-442.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link