RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,077.3
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
61
Autour de -24% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
49
Vitesse de lecture, GB/s
3,835.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,077.3
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
606
2673
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Comparaison des RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link