RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,077.3
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
61
Autour de -53% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
40
Vitesse de lecture, GB/s
3,835.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,077.3
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
606
3028
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Lenovo 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link