RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
54
Autour de -135% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
2236
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kllisre 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link