RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
54
80
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
80
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
1775
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMTS16GM4800A40T2 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link