RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
80
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
80
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
1775
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link