RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
54
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.5
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.6
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
44
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
8.5
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
1660
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link