RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
54
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.5
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.6
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
44
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
8.5
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
1660
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link