RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link