RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
54
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
44
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
1660
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link