RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
54
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
44
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
1660
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Lenovo 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link