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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
54
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.5
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.6
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
44
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
5.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
1660
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
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G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
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