RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
54
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.5
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.6
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
44
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
5.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
1660
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Mushkin 991586 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link