RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
27
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3711
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB Сравнения RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link