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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
27
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
15.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3711
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB Comparações de RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
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