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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
13.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2850
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
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