RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
80
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
80
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
1775
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link