RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
54
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
3646
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link