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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
総合得点
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
総合得点
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
19.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
54
周辺 -100% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
16.0
1,308.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
27
読み出し速度、GB/s
3,573.5
19.4
書き込み速度、GB/秒
1,308.1
16.0
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
371
3646
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
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