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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
54
Autour de -145% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
3012
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
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