RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3012
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link