RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Comparez
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Note globale
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,636.8
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
68
Autour de -100% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,540.8
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,636.8
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
827
2616
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link