RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1578
3567
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link