RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
17.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1578
3998
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link