RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
50
Autour de 44% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
50
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1578
2512
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link