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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
50
Autour de 44% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
50
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1578
2512
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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