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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
比较
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
50
左右 44% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
50
读取速度,GB/s
11.7
15.3
写入速度,GB/s
8.4
10.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1578
2512
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
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G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
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