RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
72
Autour de -157% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
1,938.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,938.7
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
677
3564
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link