RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
72
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
3564
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link