RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
72
Autour de -140% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
1,938.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,938.7
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
677
1847
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link