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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Pontuação geral
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
72
Por volta de -140% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
1,938.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
72
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,938.7
11.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
677
1847
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparações de RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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