RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
INTENSO M418039 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs INTENSO M418039 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
INTENSO M418039 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
INTENSO M418039 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
72
Autour de -260% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.4
1,938.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
INTENSO M418039 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
20
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,938.7
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
677
2414
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
INTENSO M418039 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link