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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
INTENSO M418039 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs INTENSO M418039 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Punteggio complessivo
INTENSO M418039 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
INTENSO M418039 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
72
Intorno -260% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
1,938.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
INTENSO M418039 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
72
20
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,938.7
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
677
2414
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Confronto tra le RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
INTENSO M418039 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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