RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
72
Autour de -157% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
1,938.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,938.7
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
677
2347
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link