RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
53
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
53
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2022
2301
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link