RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
53
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
9.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2022
2301
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link