RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
53
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
53
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.9
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2022
2301
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link