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SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
53
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
53
读取速度,GB/s
12.3
16.5
写入速度,GB/s
7.9
9.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2022
2301
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
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