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Kingston KP223C-ELD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
比较
Kingston KP223C-ELD 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
总分
Kingston KP223C-ELD 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP223C-ELD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.4
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP223C-ELD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.4
12.8
写入速度,GB/s
8.8
11.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2137
2785
Kingston KP223C-ELD 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Team Group Inc. 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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