RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Comparez
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Note globale
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
39
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.7
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2183
2609
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link