RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
56
72
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.3
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
1,938.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
56
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,938.7
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
677
2200
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link