Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Note globale
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    41 left arrow 74
    Autour de 45% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.8 left arrow 7.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.6 left arrow 13.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 12800
    Autour de 1.66 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    41 left arrow 74
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.3 left arrow 13.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.8 left arrow 7.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2394 left arrow 1616
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons