RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
74
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
13.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
74
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
13.6
Скорость записи, Гб/сек
8.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2394
1616
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link