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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Pontuação geral
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
74
Por volta de 45% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
13.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
74
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2394
1616
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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