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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Pontuação geral
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
74
Por volta de 45% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
13.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
74
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2394
1616
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Comparações de RAM
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Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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