Comparação RAM Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Pontuação geral

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

29 49

Por volta de -69% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.6 2,066.5

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 6400

Por volta de 2.66 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

737 2443

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns