RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
49
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
9.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2443
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/4G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link