RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
12.2
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2443
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link