RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
36
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2268
3726
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link