RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 13.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    870.4 left arrow 9.5
    Среднее значение в тестах
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    40 left arrow 87
    Около -118% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 5300
    Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    87 left arrow 40
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,155.6 left arrow 13.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    870.4 left arrow 9.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    417 left arrow 2254

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
модули RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
модули RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
модули RAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
модули RAM
Mushkin 992031 8GB
Mushkin 992031 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
модули RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
модули RAM