RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
87
Около -118% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
40
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
13.5
Скорость записи, Гб/сек
870.4
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2254
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link