RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
87
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2254
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link