RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
9.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
87
Intorno -118% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
40
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2254
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link